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制造商:
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NXP
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产品种类:
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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RoHS:
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详细信息
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技术:
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Si
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Vds-漏源极击穿电压:
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- 500 mV, 133 V
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工作频率:
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1.8 MHz to 2000 MHz
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增益:
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27 dB
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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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TO-270-2
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封装:
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Reel
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封装:
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Cut Tape
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封装:
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MouseReel
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商标:
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NXP Semiconductors
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湿度敏感性:
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Yes
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产品类型:
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RF MOSFET Transistors
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系列:
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MRFE6VS25N
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工厂包装数量:
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500
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子类别:
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MOSFETs
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类型:
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RF Power MOSFET
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Vgs - 栅极-源极电压:
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- 6 V, 10 V
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