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制造商:
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Broadcom Limited
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产品种类:
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射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
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RoHS:
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晶体管类型:
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pHEMT
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技术:
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GaAs
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工作频率:
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12 GHz
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增益:
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10 dB
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Vds-漏源极击穿电压:
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3 V
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Vgs-栅源极击穿电压 :
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- 3 V
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Id-连续漏极电流:
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40 mA
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最大工作温度:
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+ 150 C
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Pd-功率耗散:
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180 mW
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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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SOT-363
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封装:
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Reel
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封装:
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Cut Tape
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封装:
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MouseReel
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商标:
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Broadcom / Avago
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配置:
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Single Quad Source
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正向跨导 - 最小值:
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60 mS
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NF—噪声系数:
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12 dB
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P1dB - 压缩点:
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5 dBm
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产品:
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RF JFET
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产品类型:
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RF JFET Transistors
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工厂包装数量:
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3000
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子类别:
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Transistors
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类型:
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GaAs pHEMT
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单位重量:
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6 mg
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