STGWA60H65DFB正品原装供应

时间：2022-08-09 09:01发布企业：深圳市毅创辉电子科技有限公司

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制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	IGBT 晶体管
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	2 V
栅极/发射极最大电压:	20 V
在25 C的连续集电极电流:	80 A
Pd-功率耗散:	375 W
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
系列:
封装:	Tube
商标:	STMicroelectronics
集电极连续电流:	80 A
集电极最大连续电流 Ic:	80 A
栅极—射极漏泄电流:	250 nA
高度:	5.15 mm
长度:	20.15 mm
工作温度范围:	- 55 C to + 175 C
产品类型:	IGBT Transistors
工厂包装数量:	600
子类别:	IGBTs
宽度:	15.75 mm
单位重量:	38 g

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