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和润天下电子 IRF840APBF Vishay TO-220AB-3 MOSFET 供应原装现货

时间:2022-09-26 18:25发布企业:深圳和润天下电子科技有限公司
联系人:蔡经理,张小姐电话:13378422395Q Q:

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Vishay 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息 
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220AB-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 500 V 
Id-连续漏极电流: 8 A 
Rds On-漏源导通电阻: 850 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V 
Qg-栅极电荷: 38 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 125 W 
通道模式: Enhancement 
封装: Tube 
商标: Vishay Semiconductors 
配置: Single 
下降时间: 19 ns 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 23 ns 
系列: IRF 
1000 
子类别: MOSFETs 
晶体管类型: 1 N-Channel 
典型关闭延迟时间: 26 ns 
典型接通延迟时间: 11 ns 
零件号别名: IRF840APBF-BE3 
单位重量: 2 g 

 

产品属性 属性值 搜索类似
制造商: Vishay 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息 
技术: Si 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-220AB-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 500 V 
Id-连续漏极电流: 8 A 
Rds On-漏源导通电阻: 850 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V 
Qg-栅极电荷: 38 nC 
最小工作温度: - 55 C 
最大工作温度: + 150 C 
Pd-功率耗散: 125 W 
通道模式: Enhancement 
封装: Tube 
商标: Vishay Semiconductors 
配置: Single 
下降时间: 19 ns 
产品类型: MOSFET 
上升时间: 23 ns 
系列: IRF 
1000 
子类别: MOSFETs 
晶体管类型: 1 N-Channel 
典型关闭延迟时间: 26 ns 
典型接通延迟时间: 11 ns 
零件号别名: IRF840APBF-BE3 
单位重量: 2 g