代理MRF8P29300HR6现货
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MRF8P29300HR6现货供应
制造商:
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NXP
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产品种类:
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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RoHS:
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晶体管极性:
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N-Channel
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技术:
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Si
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Vds-漏源极击穿电压:
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65 V
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工作频率:
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2.7 GHz to 2.9 GHz
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增益:
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13.3 dB
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输出功率:
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320 W
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最大工作温度:
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+ 150 C
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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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NI-1230
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封装:
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Reel
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商标:
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NXP Semiconductors
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配置:
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Dual
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产品类型:
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RF MOSFET Transistors
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系列:
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工厂包装数量:
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150
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子类别:
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MOSFETs
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Vgs - 栅极-源极电压:
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10 V
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Vgs th-栅源极阈值电压:
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1.9 V
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零件号别名:
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935319706128
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单位重量:
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13.193 g
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