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MRF8P29300HR6正品原装供应

时间:2022-10-11 09:10发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司
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制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS:  
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
工作频率: 2.7 GHz to 2.9 GHz
增益: 13.3 dB
输出功率: 320 W
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: NI-1230
封装: Reel
商标: NXP Semiconductors
配置: Dual
产品类型: RF MOSFET Transistors
系列:
工厂包装数量: 150
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.9 V
零件号别名: 935319706128
单位重量: 13.193 g

NXP Semiconductors MRF8P29300HR6 默认Thumbnail

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