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UF3C120150B7S 800一包 已经到货
时间：
2022-10-28 14:43
发布企业：
深圳市创芯弘科技有限公司
联系人：
刘财路
电话：
13410000176
Q Q：
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制造商:
UnitedSiC
产品种类:
MOSFET
RoHS:
详细信息
技术:
SiC
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
D2PAK-7
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
1.2 kV
Id-连续漏极电流:
17 A
Rds On-漏源导通电阻:
150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 25 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
4.4 V
Qg-栅极电荷:
25.7 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 175 C
Pd-功率耗散:
136 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
SiC FET
封装:
Reel
封装:
Cut Tape
商标:
UnitedSiC
配置:
Single
下降时间:
8 ns
湿度敏感性:
Yes
产品类型:
MOSFET
上升时间:
6 ns
系列:
UF3C
800
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 N-Channel
典型关闭延迟时间:
32 ns
典型接通延迟时间:
32 ns
采用D2-PAK封装的UF3C SiC FET
UnitedSiC UF3C SiC FET采用7引线D2-PAK表面贴装封装，基于独特的共源共栅电路配置，具有出色的反向恢复能力。在共源共栅电路配置中，一个常开SiC JFET与一个Si MOSFET封装在一起，形成一个常闭SiC FET器件。这些SiC FET具有低体二极管、低栅极电荷和4.8V阈值电压，允许0V至15V的驱动。这些D2-PAK SiC FET器件有ESD保护，提供大于6.1mm的封装爬电和间隙距离。这些FET的标准栅极驱动特性可直接替代Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结。它们有1200V和650V漏极-源极击穿电压版本，非常适合用于任何受控环境，如电信和服务器电源、工业电源、电机驱动和感应加热。
产品广泛应用于工业自动化，医疗设备，电机控制，光模块，电源系统，仪器仪表，智能家居，电网自动化，通信，汽车电子等。
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