LM74800QDRRRQ1

用于驱动背对背 NFET 的 3V 至 65V、汽车理想二极管控制器

具有负载突降保护功能的 LM7480-Q1 理想二极管控制器 1 特性 • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准 – 器件温度等级 1： –40°C 至 +125°C 环境工作温度范围 – 器件 HBM ESD 分类等级 2 – 器件 CDM ESD 分类等级 C4B • 3V 至 65V 输入范围 • 反向输入保护低至 –65V • 在共漏极和共源极配置下，可驱动外部背对背 N 沟 道 MOSFET • 10.5mV 阳极至阴极正向压降调节下，理想二极管 正常运行 (LM74800-Q1) • 低反向检测阈值 (–4.5mV)，能够快速响应 (0.5µs) • 20mA 峰值栅极 (DGATE) 导通电流 • 2.6A 峰值 DGATE 关断电流 • 可调节过压保护 • 2.87µA 低关断电流（EN/UVLO = 低电平） • 采用合适的 TVS 二极管，符合汽车 ISO7637 瞬态 要求 • 采用节省空间的 12 引脚 WSON 封装 2 应用 • 汽车电池保护 – ADAS 域控制器 – 摄像头 ECU – 音响主机 – USB 集线器 • 用于冗余电源的有源 ORing 3 说明 LM7480x-Q1 理想二极管控制器可驱动和控制外部背 对背 N 沟道 MOSFET，从而模拟具有电源路径开/关控 制和过压保护的理想二极管整流器。3V 至 65V 的宽输 入电源电压可保护和控制 12V 和 24V 汽车类电池供电 的 ECU。该器件可以承受并保护负载免受低至 –65V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (DGATE) 可驱动第一个 MOSFET 来代替肖特基二极 管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径 中使用了第二个 MOSFET 的情况下，该器件允许负载 断开（开/关控制）并使用 HGATE 控制提供过压保 护。该器件具有可调节过压切断保护功能。LM7480- Q1 有两种型号：LM74800-Q1 和 LM74801-Q1。 LM74800-Q1 使用线性稳压和比较器方案来实现反向 电流阻断功能，而 LM74801-Q1 支持基于比较器的方 案。通过功率 MOSFET 的共漏极配置，可以使用另一 个理想二极管将中点用于 OR-ing 设计。LM7480x-Q1 的最大额定电压为 65V。通过在共源极拓扑中为器件 配置外部 MOSFET，可以保护负载免受过压瞬态（例 如 24V 电池系统中未抑制的 200V 负载突降）的影响。