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FGA40T65SHD 正品原装供应

时间:2022-11-14 09:04发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司
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制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3PN
安装风格: Through Hole
集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 2.14 V
栅极/发射极最大电压: 30 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 268 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
系列:
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极最大连续电流 Ic: 80 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
单位重量: 6.401 g

onsemi / Fairchild FGA40T65SHD 默认Thumbnail

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