代理IKW25N120T2现货
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IKW25N120T2购买请联系
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制造商:
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Infineon
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产品种类:
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IGBT 晶体管
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RoHS:
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技术:
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Si
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封装 / 箱体:
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TO-247-3
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安装风格:
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Through Hole
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配置:
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Single
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集电极—发射极最大电压 VCEO:
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1200 V
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集电极—射极饱和电压:
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1.7 V
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栅极/发射极最大电压:
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20 V
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在25 C的连续集电极电流:
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50 A
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Pd-功率耗散:
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349 W
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最小工作温度:
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- 40 C
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最大工作温度:
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+ 175 C
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系列:
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封装:
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Tube
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商标:
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Infineon Technologies
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栅极—射极漏泄电流:
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200 nA
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高度:
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20.95 mm
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长度:
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15.9 mm
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产品类型:
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IGBT Transistors
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工厂包装数量:
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240
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子类别:
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IGBTs
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商标名:
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宽度:
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5.3 mm
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零件号别名:
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IKW25N12T2XK SP000244960 IKW25N120T2FKSA1
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单位重量:
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38 g
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