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IRFP4668PBF库存情况
IRFP4668PBF规格书
IRFP4668PBF供货情况
IRFP4668PBF购买请联系
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制造商:
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Infineon
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产品种类:
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MOSFET
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RoHS:
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技术:
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Si
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安装风格:
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Through Hole
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封装 / 箱体:
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TO-247-3
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晶体管极性:
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N-Channel
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通道数量:
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1 Channel
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Vds-漏源极击穿电压:
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200 V
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Id-连续漏极电流:
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130 A
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Rds On-漏源导通电阻:
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9.7 mOhms
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Vgs - 栅极-源极电压:
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- 30 V, + 30 V
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Vgs th-栅源极阈值电压:
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1.8 V
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Qg-栅极电荷:
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161 nC
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最小工作温度:
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- 55 C
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最大工作温度:
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+ 175 C
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Pd-功率耗散:
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520 W
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通道模式:
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Enhancement
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封装:
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Tube
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商标:
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Infineon Technologies
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配置:
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Single
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下降时间:
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74 ns
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正向跨导 - 最小值:
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150 S
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高度:
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20.7 mm
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长度:
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15.87 mm
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产品类型:
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MOSFET
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上升时间:
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105 ns
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工厂包装数量:
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400
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子类别:
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MOSFETs
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晶体管类型:
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1 N-Channel
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典型关闭延迟时间:
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64 ns
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典型接通延迟时间:
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41 ns
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宽度:
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5.31 mm
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零件号别名:
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IRFP4668PBF SP001572854
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单位重量:
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6 g
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