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SI1869DH-T1-E3 供货情况
SI1869DH-T1-E3 购买请联系
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制造商:
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Vishay
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产品种类:
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MOSFET
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RoHS:
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技术:
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Si
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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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SOT-363-6
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晶体管极性:
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P-Channel
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通道数量:
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2 Channel
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Vds-漏源极击穿电压:
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20 V
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Id-连续漏极电流:
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1.2 A
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Rds On-漏源导通电阻:
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165 mOhms
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Vgs - 栅极-源极电压:
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-
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Vgs th-栅源极阈值电压:
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-
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Qg-栅极电荷:
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-
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最小工作温度:
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- 55 C
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最大工作温度:
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+ 150 C
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Pd-功率耗散:
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1 W
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通道模式:
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Enhancement
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商标名:
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封装:
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Reel
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封装:
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Cut Tape
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封装:
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MouseReel
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商标:
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Vishay Semiconductors
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配置:
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Dual
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产品类型:
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MOSFET
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工厂包装数量:
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3000
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子类别:
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MOSFETs
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零件号别名:
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SI1869DH-T1-BE3 SI1869DH-E3
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单位重量:
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7.500 mg
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