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FS75R12KT3G 规格书
FS75R12KT3G供货情况
FS75R12KT3G购买请联系
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制造商:
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Infineon
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产品种类:
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IGBT 模块
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RoHS:
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产品:
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IGBT Silicon Modules
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配置:
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Hex
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集电极—发射极最大电压 VCEO:
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1200 V
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集电极—射极饱和电压:
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2.15 V
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在25 C的连续集电极电流:
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100 A
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栅极—射极漏泄电流:
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400 nA
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Pd-功率耗散:
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455 W
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封装 / 箱体:
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Econo 3
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最小工作温度:
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- 40 C
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最大工作温度:
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+ 125 C
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封装:
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Tray
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商标:
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Infineon Technologies
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高度:
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17 mm
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长度:
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122 mm
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栅极/发射极最大电压:
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20 V
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安装风格:
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Chassis Mount
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产品类型:
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IGBT Modules
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系列:
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工厂包装数量:
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10
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子类别:
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IGBTs
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技术:
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Si
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商标名:
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宽度:
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62 mm
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零件号别名:
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SP000100438 FS75R12KT3GBOSA1
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单位重量:
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304.400 g
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