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STGD6NC60HDT4 供货情况
STGD6NC60HDT4 购买请联系
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制造商:
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STMicroelectronics
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产品种类:
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IGBT 晶体管
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RoHS:
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技术:
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Si
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封装 / 箱体:
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DPAK-3
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安装风格:
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SMD/SMT
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配置:
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Single
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集电极—发射极最大电压 VCEO:
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600 V
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集电极—射极饱和电压:
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1.9 V
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栅极/发射极最大电压:
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20 V
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Pd-功率耗散:
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50 W
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最小工作温度:
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- 55 C
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最大工作温度:
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+ 150 C
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系列:
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封装:
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Reel
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封装:
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Cut Tape
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封装:
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MouseReel
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商标:
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STMicroelectronics
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集电极连续电流:
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6 A
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集电极最大连续电流 Ic:
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15 A
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栅极—射极漏泄电流:
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100 nA
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高度:
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2.4 mm
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长度:
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6.6 mm
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产品类型:
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IGBT Transistors
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工厂包装数量:
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2500
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子类别:
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IGBTs
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宽度:
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6.2 mm
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单位重量:
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350 mg
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