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FGA25N120ANTDTU正品原装供应

时间:2022-12-30 08:53发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司
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制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS:  
技术: Si
封装 / 箱体: TO-3P-3
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2 V
栅极/发射极最大电压: 20 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
Pd-功率耗散: 312 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列:
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
集电极连续电流: 25 A
集电极最大连续电流 Ic: 50 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
高度: 18.9 mm
长度: 15.8 mm
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 450
子类别: IGBTs
宽度: 5 mm
零件号别名: FGA25N120ANTDTU_NL
单位重量: 6.401 g


onsemi / Fairchild FGA25N120ANTDTU 默认Thumbnail

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