U74HC14G-TSSOP14R-TG_UTC代理商导读
由内部高压启动开关通过功率管Drain 提供起始电流对VCC 电容充电，当VCC 电压达到工作点（VCCon）20V 时，IC 开始工作，再由变压器辅助绕组线路对VCC 电容进行充电。
每个包中包含6个反向施密特触发器，它们都执行布尔函数Y=A，可在2V - 6V的宽范围内操作，且具备广泛的输入升降时间范围广，抗噪能力强以及在温度范围内拥有高达10 LSTTL的扇出参数，低功耗也成为它的优势。
78D08LL-TO252R-TG
（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。
82N30G-SC59.3R-5TG LM393G-SOP8R-TG 2N7002ZDWG-SOT363L-TEG TL431G-TO92B-ATTG 75232G-TSSOP20R-TW2G 。
不同功率半导体器件 ，其承受电压 、电流容量 、阻抗能力 、体积大小等特性也会不同 ，实际使用中 ， 需要根据不同领域 、不同需求来选用合适的器件。
半导体行业从诞生至今 ，先后经历了三代材料的变更程 ，截至目前 ，功率半导体器件领域仍主要采 用以 Si 为代表的第一半导体材料 。
UTC代理商
UPC1008G-LSOP4R-TG 2SC1815L-TO92B-Y-TG LD1117AG-TO252R-33-ATGQ UT8205AG-TSSOP8R-TG U74AHCT1G125G-SOT353R-TG 。
9NM50G-TO252R-TG BC808L-SOT23.3R-25-TG LR9102G-SC59.5R-18-TG LM358G-SOP8R-2TW2G BC847G-SOT23.3R-B-TG 。
U74AUP1G57G-SOT363R-TG ULN2003G-SOP16R-TW5G U74LVC1G14G-SOT353R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-DTG U74LVC1G08G-SC59.5R-TG 。
88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。
在IC 的VCC 脚位上电过程中，内部高压启动开关管通过Drain 脚位对VCC 脚位电容充电，VCC 上电到VCCon 后，内部高压启动开关关闭，停止对VCC 脚位电容充电，启动过程结束。
HJ44H11L-TO252R-TG ULN2003G-SOP16R-TW2G MJE13003L-TO92B-B-TGP TDA2030AL-TO220BT-TG U74AHC1G08G-SOT353R-TG 。
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