8N80L-TO220F1T-TG_UTC代理商导读
逻辑电路具有逻辑运算和逻辑处理功能，并且可用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算。
每个包中包含6个反向施密特触发器，它们都执行布尔函数Y=A，可在2V - 6V的宽范围内操作，且具备广泛的输入升降时间范围广，抗噪能力强以及在温度范围内拥有高达10 LSTTL的扇出参数，低功耗也成为它的优势。
MMBT4403G-SOT323R-TG
（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。
LR1148G-SC59.5R-AD-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATGQ LD2117AG-SOT223R-AD-ATG 2SD669AL-TO252R-D-TG UG9KG-SOT363R-TG 。
集成度和可靠性等多方面优势性能，类型丰富且各具优势，是相关设备设施应用的优中之选，并可广泛应用在工业、医疗、消费电子等领域上。
功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度分为全型 、半控型及不可；或按驱动电路信号 性质分为电压驱动型 、电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 。
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UT2302G-SC59.3R-TG UPC817DG-DIP4T-TG U74LV1T34G-SOT353R-TG U74LVC126AG-TSSOP14R-TG UT100N03L-TO220T-TG 。
LR1142G-SC59.5R-AD-ATG TL431NSG-SC59.3R-ATG LR2125G-SC59.5R-AD-TG UT3N01ZG-SOT323R-TG LD1117AG-TO252R-18-ATG 。
MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
UPC1008G-LSOP4R-TG 2SC1815L-TO92B-Y-TG LD1117AG-TO252R-33-ATGQ UT8205AG-TSSOP8R-TG U74AHCT1G125G-SOT353R-TG 。
在IC 的VCC 脚位上电过程中，内部高压启动开关管通过Drain 脚位对VCC 脚位电容充电，VCC 上电到VCCon 后，内部高压启动开关关闭，停止对VCC 脚位电容充电，启动过程结束。
软启动Phase 结束后，若Vout 未达到输出设定值Vo，则IC 以大占空比继续上电直至上电完毕，VFB 降低进入正常环路调节电压范围1.35~4.2V；软启动Phase 期间，若Vout 达到输出设定值Vo，则VFB 降低进入正常环路调节电压范围1.35~4.2V，环路PWM 由VFB 控制直至上电完毕，；。
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