S8050L-TO92K-C-TG_UTC代理商导读
启动电容建议选用电解电容(供电)和SMD 陶瓷电容(高频滤波)并联配套使用,启动电容可选2.2~10uF 的电容,SMD 陶瓷选用100nF。
UCS165XS 有非常低的启动电流(<5uA)和较低的起始电压,并且内含高压启动开关,与常规PWM IC 相比,可大限度地减少外部电路之启动功耗损失,同时又能保障启动速度最快,对VCC 脚位电容值的上限限制极低。
S8550L-TO92K-C-TG
U74LVC1G07G-SOT353R-TG U74LVC1G08G-SOT353R-TG PUMX1G-SOT363R-TG TL431G-SOT23.3R-ATG U74LV1T08G-SOT353R-TG MMBT4401G-SOT23.3R-TG MMBT5551G-SOT23.3R-B-TG 2N7002KG-SOT23.3R-TG TL431G-SC59.3R-ATG 。
(1)主要选型参数:漏源电压VDS(耐压),ID 连续漏电流,RDS(on) 导通电阻,Ciss 输入电容(结电容),品质因数FOM=Ron * Qg等。(2)根据不同的工艺又分为 Trench MOS:沟槽型MOS,主要低压领域100V内; SGT (Split Gate)MOS:分裂栅MOS,主要中低压领域200V内; SJ MOS:超结MOS,主要在高压领域 600-800V;。
从全球占比数据来看,全世界对UPS的需求呈现增长趋势,主要是因为全球电力的供需不平衡,且电力品质的问题日益加重,使得UPS在消费市场上先得格外的重要。至2020年起UPS不间断电源市场的规模就已维持稳步上升的趋势,预计未来5年增速可达到10%—15%。
待机时辅助线圈对VCC 电容充电电流较小,IC 静态功耗没有太大变化,因此导致待机进入burst mode 后,VCC 电容电压会在OFF time 中容易触碰VCCMIN,发生VCC自动重启误动作。
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SB360G-DO201ADB-TG U74HC00G-SOP14R-TG U74LVC2G04G-SOT363R-TG 8133G-SC59.3R-2TSG 2SA1015L-TO92B-BL-TG 。
88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。
建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容(例如100nF MLCC),增加IC 工作稳定性,避免高频干扰。
UPC817BG-DIP4T-TG ULN2803G-SOP18R-TW2G TL431K-TO92B-1TSG UK2751G-SOT723R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-CTG 。
起始階段:IC 上电完毕后後,Vout=0,CS 為0, 起始頻率65kHz,PWM 开始工作, CS由Softstart 啟動,FB 为开路电压5.2V。
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