2SB1151L-TO126T-Y-TG_UTC代理商导读
UCS165XS 有非常低的启动电流(<5uA)和较低的起始电压,并且内含高压启动开关,与常规PWM IC 相比,可大限度地减少外部电路之启动功耗损失,同时又能保障启动速度最快,对VCC 脚位电容值的上限限制极低。
启动电容建议选用电解电容(供电)和SMD 陶瓷电容(高频滤波)并联配套使用,启动电容可选2.2~10uF 的电容,SMD 陶瓷选用100nF。
MMBT2907AG-SOT23.3R-TG
半导体行业从诞生至今 ,先后经历了三代材料的变更程 ,截至目前 ,功率半导体器件领域仍主要采 用以 Si 为代表的第一半导体材料 。
(1)主要选型参数:漏源电压VDS(耐压),ID 连续漏电流,RDS(on) 导通电阻,Ciss 输入电容(结电容),品质因数FOM=Ron * Qg等。(2)根据不同的工艺又分为 Trench MOS:沟槽型MOS,主要低压领域100V内; SGT (Split Gate)MOS:分裂栅MOS,主要中低压领域200V内; SJ MOS:超结MOS,主要在高压领域 600-800V;。
一旦OVP 发生,功率管关闭,如果过电压解除,系统将在下一次上电后恢复正常工作。VCC 过压保护功能是自动恢复重启的保护。
不同功率半导体器件 ,其承受电压 、电流容量 、阻抗能力 、体积大小等特性也会不同 ,实际使用中 , 需要根据不同领域 、不同需求来选用合适的器件。
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UT2302G-SC59.3R-TG UPC817DG-DIP4T-TG U74LV1T34G-SOT353R-TG U74LVC126AG-TSSOP14R-TG UT100N03L-TO220T-TG 。
LD1117AG-SOT223R-50-ATZ4GQ BC807G-SOT23.3R-25-TG 1N4148L-SOD123R-TG MC34063AG-SOP8R-1TG CD4069G-SOP14R-TG 。
MMBTA42L-SOT23.3R-TG MPSA44L-SOT89R-TG 1N60AL-TO92B-B-TG UR7250G-SC59.3R-TG LD2985G-SC59.5R-50-TG 。
MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
并以最小频率工作。待机:FB 调整芯片工作在Burst mode 里,并控制CS 值。
软启动Phase 结束后,若Vout 未达到输出设定值Vo,则IC 以大占空比继续上电直至上电完毕,VFB 降低进入正常环路调节电压范围1.35~4.2V;软启动Phase 期间,若Vout 达到输出设定值Vo,则VFB 降低进入正常环路调节电压范围1.35~4.2V,环路PWM 由VFB 控制直至上电完毕,;。
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