UR7833G-SOT89R-TG_UTC代理商导读
启动电容建议选用电解电容（供电）和SMD 陶瓷电容（高频滤波）并联配套使用，启动电容可选2.2~10uF 的电容，SMD 陶瓷选用100nF。
由内部高压启动开关通过功率管Drain 提供起始电流对VCC 电容充电，当VCC 电压达到工作点（VCCon）20V 时，IC 开始工作，再由变压器辅助绕组线路对VCC 电容进行充电。
LD1117AG-SOT223R-25-ATGQ
为了避免上述误动作发生，推荐VCC 电容尽量不要采用过低值，VCC电容值越大，待机功耗越低。客户不必担心VCC 电容偏高导致系统启动时间过长问题，因为IC 本身含有高压启动开关，具有大电流恒流充电特性。。
U74LVC1G07G-SOT353R-TG U74LVC1G08G-SOT353R-TG PUMX1G-SOT363R-TG TL431G-SOT23.3R-ATG U74LV1T08G-SOT353R-TG MMBT4401G-SOT23.3R-TG MMBT5551G-SOT23.3R-B-TG 2N7002KG-SOT23.3R-TG TL431G-SC59.3R-ATG 。
LR1148G-SC59.5R-AD-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATGQ LD2117AG-SOT223R-AD-ATG 2SD669AL-TO252R-D-TG UG9KG-SOT363R-TG 。
（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。
UTC代理商
U74AUP1G57G-SOT363R-TG ULN2003G-SOP16R-TW5G U74LVC1G14G-SOT353R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-DTG U74LVC1G08G-SC59.5R-TG 。
建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容（例如100nF MLCC），增加IC 工作稳定性，避免高频干扰。
U74LVC1G86G-SOT23.5R-TG 78L09MG-SOT89R-TG U74HC595AG-SOP16R-TG UPC817CG-LSOP4R-TG UT2305G-SC59.3R-TZ0G 。
LD1117AG-SOT223R-50-ATZ4GQ BC807G-SOT23.3R-25-TG 1N4148L-SOD123R-TG MC34063AG-SOP8R-1TG CD4069G-SOP14R-TG 。
HJ44H11L-TO252R-TG ULN2003G-SOP16R-TW2G MJE13003L-TO92B-B-TGP TDA2030AL-TO220BT-TG U74AHC1G08G-SOT353R-TG 。
在IC 的VCC 脚位上电过程中，内部高压启动开关管通过Drain 脚位对VCC 脚位电容充电，VCC 上电到VCCon 后，内部高压启动开关关闭，停止对VCC 脚位电容充电，启动过程结束。
相关资讯