UT3221G-SSOP16.2R-TG_UTC代理商导读
每个包中包含6个反向施密特触发器，它们都执行布尔函数Y=A，可在2V - 6V的宽范围内操作，且具备广泛的输入升降时间范围广，抗噪能力强以及在温度范围内拥有高达10 LSTTL的扇出参数，低功耗也成为它的优势。
超低启动电流（<5uA），超低静态电流（0.8mA）。具备欠压保护（UVP）、过压保护（OVP）， VCC 嵌位、过载保护（OLP）过温度保护（OTP）、过电流保护（OCP）。
M54123LG-SOP8R-ATG
MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路；。
（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。
集成度和可靠性等多方面优势性能，类型丰富且各具优势，是相关设备设施应用的优中之选，并可广泛应用在工业、医疗、消费电子等领域上。
不同功率半导体器件 ，其承受电压 、电流容量 、阻抗能力 、体积大小等特性也会不同 ，实际使用中 ， 需要根据不同领域 、不同需求来选用合适的器件。
UTC代理商
LR1142G-SC59.5R-AD-ATG TL431NSG-SC59.3R-ATG LR2125G-SC59.5R-AD-TG UT3N01ZG-SOT323R-TG LD1117AG-TO252R-18-ATG 。
MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容（例如100nF MLCC），增加IC 工作稳定性，避免高频干扰。
UPC817BG-DIP4T-TG ULN2803G-SOP18R-TW2G TL431K-TO92B-1TSG UK2751G-SOT723R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-CTG 。
友顺科技股份有限公司成立于1990年，专注致力于模拟IC及离散式组件Discrete研发、设计、制造、封装、测试及营销业务。为提供客户完整的解决方案及具IDM采取主动的方式，从产品的研发、设计、制造、封装、测试到品牌营销，在每一个关键点都充分掌握其自主的能力，以达到产能保障及技术自主，充分展现企业竞争力。
重載和中载：FB 调整芯片工作在PWM mode 里，FB 值調整CS 值。
相关资讯