UTT50N06MG-TO251T-TG_UTC代理商导读
逻辑电路具有逻辑运算和逻辑处理功能，并且可用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算。
U74HC165是一个8位并行负载移位寄存器，具备互补串行输出的功能，且可直接覆盖负载数据输入和门控时钟输入，并可实现并行到串行的数据转换。
U74AHCT1G08G-SOT353R-TZ0G
U74LVC1G07G-SOT353R-TG U74LVC1G08G-SOT353R-TG PUMX1G-SOT363R-TG TL431G-SOT23.3R-ATG U74LV1T08G-SOT353R-TG MMBT4401G-SOT23.3R-TG MMBT5551G-SOT23.3R-B-TG 2N7002KG-SOT23.3R-TG TL431G-SC59.3R-ATG 。
为了避免上述误动作发生，推荐VCC 电容尽量不要采用过低值，VCC电容值越大，待机功耗越低。客户不必担心VCC 电容偏高导致系统启动时间过长问题，因为IC 本身含有高压启动开关，具有大电流恒流充电特性。。
待机时辅助线圈对VCC 电容充电电流较小，IC 静态功耗没有太大变化，因此导致待机进入burst mode 后，VCC 电容电压会在OFF time 中容易触碰VCCMIN，发生VCC自动重启误动作。
（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。
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建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容（例如100nF MLCC），增加IC 工作稳定性，避免高频干扰。
78D05AG-TO252R-TG BSS127ZG-SOT23.3R-TG SB260G-SMAR-TW1M1G NE555G-SOP8R-TG 2SC2655L-TO92NLB-Y-TG 。
9NM50G-TO252R-TG BC808L-SOT23.3R-25-TG LR9102G-SC59.5R-18-TG LM358G-SOP8R-2TW2G BC847G-SOT23.3R-B-TG 。
UT2302G-SC59.3R-TG UPC817DG-DIP4T-TG U74LV1T34G-SOT353R-TG U74LVC126AG-TSSOP14R-TG UT100N03L-TO220T-TG 。
UCS165XS 有一个VCC-G 脚位，其为driver 驱动上管的drain，通过在VCC-G 与VCC 脚位之间串接电阻RG，可以调节降低driver 上驱动能力，RGD 推荐范围：51~1000。只有极特殊的设计会使用到此功能，因此，通常情况下VCC-G 与VCC 是短接的。
UCS165XS 系列为混合模式控制器，IC 的开关频率及运行模式取决于FB 脚位电压。下图为FB 脚位电压、负载、开关频率的关系.。VFB其值反映負載的大小，負載越重，其值越大。
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