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LR9113G-DFN4.1010R-18-TG_UTC代理商

时间:2023-02-14 11:01发布企业:深圳市芯脉实业有限公司
联系人:马先生,周小姐电话:19166264056Q Q:


LR9113G-DFN4.1010R-18-TG_UTC代理商导读

启动电容建议选用电解电容(供电)和SMD 陶瓷电容(高频滤波)并联配套使用,启动电容可选2.2~10uF 的电容,SMD 陶瓷选用100nF。

由内部高压启动开关通过功率管Drain 提供起始电流对VCC 电容充电,当VCC 电压达到工作点(VCCon)20V 时,IC 开始工作,再由变压器辅助绕组线路对VCC 电容进行充电。


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75232G-TSSOP20R-TW3G

(2)根据不同的工艺又分为 Trench MOS:沟槽型MOS,主要低压领域100V内; SGT (Split Gate)MOS:分裂栅MOS,主要中低压领域200V内; SJ MOS:超结MOS,主要在高压领域 600-800V;。(1)主要选型参数:漏源电压VDS(耐压),ID 连续漏电流,RDS(on) 导通电阻,Ciss 输入电容(结电容),品质因数FOM=Ron * Qg等。

不同功率半导体器件 ,其承受电压 、电流容量 、阻抗能力 、体积大小等特性也会不同 ,实际使用中 , 需要根据不同领域 、不同需求来选用合适的器件。

半导体行业从诞生至今 ,先后经历了三代材料的变更程 ,截至目前 ,功率半导体器件领域仍主要采 用以 Si 为代表的第一半导体材料 。

U74AHC595G-TSSOP16R-TG UT3419G-SC59.3R-TG U74LVC1G04G-SOT353R-TG UZ2085G-TO252R-AD-TG U74AUP1G07G-SOT353R-TG 。


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UTC代理商

MMBTA42L-SOT23.3R-TG MPSA44L-SOT89R-TG 1N60AL-TO92B-B-TG UR7250G-SC59.3R-TG LD2985G-SC59.5R-50-TG 。

88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。

SB360G-DO201ADB-TG U74HC00G-SOP14R-TG U74LVC2G04G-SOT363R-TG 8133G-SC59.3R-2TSG 2SA1015L-TO92B-BL-TG 。

MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。

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在IC 的VCC 脚位上电过程中,内部高压启动开关管通过Drain 脚位对VCC 脚位电容充电,VCC 上电到VCCon 后,内部高压启动开关关闭,停止对VCC 脚位电容充电,启动过程结束。

UCS165XS 系列有开路保护功能,内部电路可以检测FB 脚位电压,当FB 脚位电压高于开路保护电压阈值4.2V 并持续设定的时间后,关断驱动管停止系统动作,直到VCC 下电后再重新启动才能恢复动作。


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