DTD123YG-SOT23.3R-TG_UTC代理商导读
UCS165XS 有非常低的启动电流（<5uA）和较低的起始电压，并且内含高压启动开关，与常规PWM IC 相比，可大限度地减少外部电路之启动功耗损失，同时又能保障启动速度最快，对VCC 脚位电容值的上限限制极低。
启动电容建议选用电解电容（供电）和SMD 陶瓷电容（高频滤波）并联配套使用，启动电容可选2.2~10uF 的电容，SMD 陶瓷选用100nF。
4N65L-TO220F1T-TGQ
待机时辅助线圈对VCC 电容充电电流较小，IC 静态功耗没有太大变化，因此导致待机进入burst mode 后，VCC 电容电压会在OFF time 中容易触碰VCCMIN，发生VCC自动重启误动作。
当VCC 电压高于26V 时，gate 信号立即停止ON/OFF，功率管关闭，动作如图4 所示。过电压保护（OVP）为保护功率MOSFET 不受损坏，IC 在VCC 脚位增加过电压保护功能。一旦OVP 发生，功率管关闭，如果过电压解除，系统将在下一次上电后恢复正常工作。VCC 过压保护功能是自动恢复重启的保护。
半导体行业从诞生至今 ，先后经历了三代材料的变更程 ，截至目前 ，功率半导体器件领域仍主要采 用以 Si 为代表的第一半导体材料 。
MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路；。
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MMBTA42L-SOT23.3R-TG MPSA44L-SOT89R-TG 1N60AL-TO92B-B-TG UR7250G-SC59.3R-TG LD2985G-SC59.5R-50-TG 。
9NM50G-TO252R-TG BC808L-SOT23.3R-25-TG LR9102G-SC59.5R-18-TG LM358G-SOP8R-2TW2G BC847G-SOT23.3R-B-TG 。
88N28G-SC59.5R-TG MPSA06L-TO92B-TG LD1117AG-SOT223R-50-ATGQ LR9102G-SC59.5R-25-TG BAT54SG-SOT23.3R-TG 。
UPC817BG-DIP4T-TG ULN2803G-SOP18R-TW2G TL431K-TO92B-1TSG UK2751G-SOT723R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-CTG 。
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UCS165XS 系列为混合模式控制器，IC 的开关频率及运行模式取决于FB 脚位电压。下图为FB 脚位电压、负载、开关频率的关系.。VFB其值反映負載的大小，負載越重，其值越大。
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