ULVH431G-SOT23.3R-1TG_UTC代理商导读
U74HC165是一个8位并行负载移位寄存器，具备互补串行输出的功能，且可直接覆盖负载数据输入和门控时钟输入，并可实现并行到串行的数据转换。
UCS165XS 有非常低的启动电流（<5uA）和较低的起始电压，并且内含高压启动开关，与常规PWM IC 相比，可大限度地减少外部电路之启动功耗损失，同时又能保障启动速度最快，对VCC 脚位电容值的上限限制极低。
4051G-SOP16T-TSG
82N30G-SC59.3R-5TG LM393G-SOP8R-TG 2N7002ZDWG-SOT363L-TEG TL431G-TO92B-ATTG 75232G-TSSOP20R-TW2G 。
MOS管具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好；制造工艺简单、辐射强，因而通常被用于放大电路或开关电路；。
（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。
待机时辅助线圈对VCC 电容充电电流较小，IC 静态功耗没有太大变化，因此导致待机进入burst mode 后，VCC 电容电压会在OFF time 中容易触碰VCCMIN，发生VCC自动重启误动作。
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建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容（例如100nF MLCC），增加IC 工作稳定性，避免高频干扰。
MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
MMBTA42L-SOT23.3R-TG MPSA44L-SOT89R-TG 1N60AL-TO92B-B-TG UR7250G-SC59.3R-TG LD2985G-SC59.5R-50-TG 。
9NM50G-TO252R-TG BC808L-SOT23.3R-25-TG LR9102G-SC59.5R-18-TG LM358G-SOP8R-2TW2G BC847G-SOT23.3R-B-TG 。
重載和中载：FB 调整芯片工作在PWM mode 里，FB 值調整CS 值。
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