2N65L-TO126CK-TG_UTC代理商导读
欠压工作点起到迟滞作用，可让启动电容器有充分的能量供应IC。。如果VCC 电压低于欠压工作点8V，就会关闭输出电路减少工作电流。
启动电容建议选用电解电容（供电）和SMD 陶瓷电容（高频滤波）并联配套使用，启动电容可选2.2~10uF 的电容，SMD 陶瓷选用100nF。
LM2937L-TO263R-33-TG
功率半导体器件又可根据对电路信号的控程度分为全型 、半控型及不可；或按驱动电路信号 性质分为电压驱动型 、电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 电流驱动型等划分类别 。
（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。
82N30G-SC59.3R-5TG LM393G-SOP8R-TG 2N7002ZDWG-SOT363L-TEG TL431G-TO92B-ATTG 75232G-TSSOP20R-TW2G 。
当VCC 电压高于26V 时，gate 信号立即停止ON/OFF，功率管关闭，动作如图4 所示。过电压保护（OVP）为保护功率MOSFET 不受损坏，IC 在VCC 脚位增加过电压保护功能。一旦OVP 发生，功率管关闭，如果过电压解除，系统将在下一次上电后恢复正常工作。VCC 过压保护功能是自动恢复重启的保护。
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78D05AG-TO252R-TG BSS127ZG-SOT23.3R-TG SB260G-SMAR-TW1M1G NE555G-SOP8R-TG 2SC2655L-TO92NLB-Y-TG 。
MMBT1815G-SOT23.3R-BL-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATZ4GQ LM324G-SOP14R-2TG 2SD1857G-SOT223R-Q-TM1G UPC817DG-SMD4R-TUG 。
建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容（例如100nF MLCC），增加IC 工作稳定性，避免高频干扰。
U74LVC2G07G-SOT363R-TG 10N80L-TO220F1T-TGCQ 2SA1020G-SOT89R-Y-TG MBR10200CL-TO220T-TG UPC817BG-SMD4R-TG 。
电路初级侧主回路由C1 正端变压器MOSFET R14、R15 C1 地端，此为电路中大开关干扰源，此回路元器件尽量靠近以缩短路径线长及回路面积，并远离小信号回路以及UCS165XS 本体，且接地1 之间的连接线路需要保持最短并且宽原则。
重載和中载：FB 调整芯片工作在PWM mode 里，FB 值調整CS 值。
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