UN1066L-SOT89R-TG_UTC代理商导读
逻辑电路具有逻辑运算和逻辑处理功能，并且可用数字信号完成对数字量进行算术运算和逻辑运算。
为保护功率MOSFET 不受损坏，IC 在VCC 脚位增加过电压保护功能。当VCC 电压高于26V 时，gate 信号立即停止ON/OFF，功率管关闭。
DTB123YG-SOT23.3R-TG
（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。
U74AHC595G-TSSOP16R-TG UT3419G-SC59.3R-TG U74LVC1G04G-SOT353R-TG UZ2085G-TO252R-AD-TG U74AUP1G07G-SOT353R-TG 。
LR1148G-SC59.5R-AD-TG LD1117AG-SOT223R-33-ATGQ LD2117AG-SOT223R-AD-ATG 2SD669AL-TO252R-D-TG UG9KG-SOT363R-TG 。
不同功率半导体器件 ，其承受电压 、电流容量 、阻抗能力 、体积大小等特性也会不同 ，实际使用中 ， 需要根据不同领域 、不同需求来选用合适的器件。
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这就是MOS管做开关器件的原理（详细请关注作者其他MOS详解）。是理想的模拟开关器件。在开关电源中，如漏极开路电路，漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。
9NM50G-TO252R-TG BC808L-SOT23.3R-25-TG LR9102G-SC59.5R-18-TG LM358G-SOP8R-2TW2G BC847G-SOT23.3R-B-TG 。
78D05AG-TO252R-TG BSS127ZG-SOT23.3R-TG SB260G-SMAR-TW1M1G NE555G-SOP8R-TG 2SC2655L-TO92NLB-Y-TG 。
建议VCC 脚位旁边并联一个高频滤波电容（例如100nF MLCC），增加IC 工作稳定性，避免高频干扰。
IIoT背后的理念是通过数字化整个工业运营链来提高生产率，并基于数字数据建立洞察力。新的技术能力也有助于制造商从对工厂自动化设备的投入中获得更多的价值。
重載和中载：FB 调整芯片工作在PWM mode 里，FB 值調整CS 值。
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