U74LVC1G08G-SOT23.5R-TG_UTC代理商导读
启动电容建议选用电解电容（供电）和SMD 陶瓷电容（高频滤波）并联配套使用，启动电容可选2.2~10uF 的电容，SMD 陶瓷选用100nF。
为保护功率MOSFET 不受损坏，IC 在VCC 脚位增加过电压保护功能。当VCC 电压高于26V 时，gate 信号立即停止ON/OFF，功率管关闭。
10N80L-TO220F1T-TGCQ
。为了避免上述误动作发生，推荐VCC 电容尽量不要采用过低值，VCC电容值越大，待机功耗越低。客户不必担心VCC 电容偏高导致系统启动时间过长问题，因为IC 本身含有高压启动开关，具有大电流恒流充电特性。
不同功率半导体器件 ，其承受电压 、电流容量 、阻抗能力 、体积大小等特性也会不同 ，实际使用中 ， 需要根据不同领域 、不同需求来选用合适的器件。
（2）根据不同的工艺又分为 Trench MOS：沟槽型MOS，主要低压领域100V内； SGT (Split Gate)MOS：分裂栅MOS，主要中低压领域200V内； SJ MOS：超结MOS，主要在高压领域 600-800V；。（1）主要选型参数：漏源电压VDS（耐压），ID 连续漏电流，RDS(on) 导通电阻，Ciss 输入电容（结电容），品质因数FOM=Ron * Qg等。
一台电视的屏幕面板如何决定了电视画质的下限，而好的电视芯片则决定了电视画质的上限，尤其在高端电视上体现得淋漓尽致，购买电视的时候一定不要认为只有屏幕才能决定电视清晰度。
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LD1117AG-SOT223R-50-ATZ4GQ BC807G-SOT23.3R-25-TG 1N4148L-SOD123R-TG MC34063AG-SOP8R-1TG CD4069G-SOP14R-TG 。
UPC817BG-DIP4T-TG ULN2803G-SOP18R-TW2G TL431K-TO92B-1TSG UK2751G-SOT723R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-CTG 。
这就是MOS管做开关器件的原理（详细请关注作者其他MOS详解）。在开关电源中，如漏极开路电路，漏极原封不动地接负载，叫开路漏极，开路漏极电路中不管负载接多高的电压，都能够接通和关断负载电流。是理想的模拟开关器件。
U74AUP1G57G-SOT363R-TG ULN2003G-SOP16R-TW5G U74LVC1G14G-SOT353R-TG K1109G-SOT23.3R-J35-DTG U74LVC1G08G-SC59.5R-TG 。
在IC 的VCC 脚位上电过程中，内部高压启动开关管通过Drain 脚位对VCC 脚位电容充电，VCC 上电到VCCon 后，内部高压启动开关关闭，停止对VCC 脚位电容充电，启动过程结束。
UCS165XS 系列有开路保护功能，内部电路可以检测FB 脚位电压，当FB 脚位电压高于开路保护电压阈值4.2V 并持续设定的时间后，关断驱动管停止系统动作，直到VCC 下电后再重新启动才能恢复动作。
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