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IPBE65R115CFD7AATMA1正品原装供应

时间:2023-03-10 09:09发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司
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IPBE65R115CFD7AATMA1 现货供应

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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-7
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 21 A
Rds On-漏源导通电阻: 115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V
Qg-栅极电荷: 41 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 114 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名:
系列:
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: Infineon Technologies
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 61 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
零件号别名: IPBE65R115CFD7A SP002561838
单位重量: 1.600 g
Infineon Technologies IPBE65R115CFD7AATMA1 默认Thumbnail

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