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现货 R5F21264KFP#W4
时间：
2023-03-20 16:41
发布企业：
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：
陈诚
电话：
13319535224
Q Q：
规格
产品属性
属性值
选择属性
制造商:
STMicroelectronics
产品种类:
MOSFET
RoHS:
技术:
Si
安装风格:
Through Hole
封装 / 箱体:
TO-247-3
晶体管极性:
N-Channel
通道数量:
1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:
900 V
Id-连续漏极电流:
9.2 A
Rds On-漏源导通电阻:
980 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:
- 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压:
3 V
Qg-栅极电荷:
95 nC
最小工作温度:
- 55 C
最大工作温度:
+ 150 C
Pd-功率耗散:
200 W
通道模式:
Enhancement
商标名:
系列:
封装:
Tube
商标:
STMicroelectronics
配置:
Single
下降时间:
50 ns
高度:
20.15 mm
长度:
15.75 mm
产品类型:
MOSFET
上升时间:
19 ns
工厂包装数量:
600
子类别:
MOSFETs
晶体管类型:
1 N-Channel
典型关闭延迟时间:
76 ns
典型接通延迟时间:
30 ns
宽度:
5.15 mm
单位重量:
6 g
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