制造商: onsemi
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
技术: Si
封装 / 箱体: TO-247
安装风格: Through Hole
配置: Single
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.9 V
栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 80 A
Pd-功率耗散: 349 W
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
系列: FGH40N60SMD
封装: Tube
商标: onsemi / Fairchild
栅极—射极漏泄电流: +/- 400 nA
产品类型: IGBT Transistors
工厂包装数量: 30
子类别: IGBTs
单位重量: 6.390 g
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