nfineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀；符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能，以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括：直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀；符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列：温度范围为 -55°C 至 +175°C
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET
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参数名称
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参数值
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是否无铅
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 不含铅
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是否Rohs认证
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 符合
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生命周期
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Active
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Objectid
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1379997505
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零件包装代码
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TO-252
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包装说明
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GREEN, PLASTIC PACKAGE-3
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针数
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4
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Reach Compliance Code
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unknown
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风险等级
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7.28
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其他特性
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LOGIC LEVEL COMPATIBLE
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雪崩能效等级（Eas）
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60 mJ
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外壳连接
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DRAIN
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配置
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SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
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最小漏源击穿电压
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40 V
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最大漏极电流 (ID)
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90 A
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最大漏源导通电阻
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0.0043 Ω
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FET 技术
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METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
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JEDEC-95代码
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TO-252
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JESD-30 代码
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R-PSSO-G2
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元件数量
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1
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端子数量
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2
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工作模式
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ENHANCEMENT MODE
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封装主体材料
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PLASTIC/EPOXY
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封装形状
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RECTANGULAR
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封装形式
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SMALL OUTLINE
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峰值回流温度（摄氏度）
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NOT SPECIFIED
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极性/信道类型
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P-CHANNEL
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最大脉冲漏极电流 (IDM)
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360 A
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表面贴装
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YES
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端子面层
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NOT SPECIFIED
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端子形式
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GULL WING
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端子位置
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SINGLE
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处于峰值回流温度下的最长时间
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NOT SPECIFIED
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晶体管元件材料
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SILICON
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