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FF225R12ME4 深圳毅创辉电子供应
时间：
2023-03-22 09:25
发布企业：
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：
史仙雁
电话：
19129911934
Q Q：
制造商:
Infineon
产品种类:
IGBT 模块
RoHS:
产品:
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO:
1200 V
集电极—射极饱和电压:
2.15 V
在25 C的连续集电极电流:
225 A
栅极—射极漏泄电流:
400 nA
Pd-功率耗散:
1050 W
最小工作温度:
- 40 C
最大工作温度:
+ 150 C
封装:
Tray
商标:
Infineon Technologies
栅极/发射极最大电压:
20 V
安装风格:
Chassis Mount
产品类型:
IGBT Modules
系列:
工厂包装数量:
10
子类别:
IGBTs
技术:
Si
商标名:
零件号别名:
SP000405064 FF225R12ME4BOSA1
单位重量:
393.267 g
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