Infineon Technologies CoolMOS™ 功率晶体管

英飞凌科技公司扩大了其CoolMOS®功率晶体管的供应，该产品采用了一种革命性的高压功率mosfet技术，根据超结(SJ)原理设计。这些CoolMOS®功率晶体管提供了快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供了一个非常快和强大的体二极管。酷睿®功率晶体管特别适用于PC银盒、液晶电视、照明、服务器和电信应用的谐振开关PWM级。



C3场效电晶体

英飞凌500V/600V/650V酷睿mos™C3 mosfet具有极低的通态电阻(RDS(on)* a)，实现了极低的传导和开关损耗，使开关应用更加高效。这些设备使用现场证明的CoolMOS质量，提供卓越的成本和性能。这些mosfet非常适合在服务器、电信、消费者、PC电源和适配器应用程序中使用。



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英飞凌800V CoolMOS™C3 mosfet由于具有较低的比通态电阻(RDS(on)* a)，实现了极低的传导和开关损耗，使开关应用程序更高效、更紧凑、更轻和更冷。此外，该系列产品具有优异的性价比。800V CoolMOS™C3产品经过优化，在太阳能逆变器、工业逆变器、三相拓扑结构、PC电源、适配器、液晶电视和照明等应用中易于使用和提高效率。



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英飞凌900V CoolMOS™C3 mosfet基于充电补偿的器件概念，与其他900V传统mosfet相比，每个封装类型的RDS(on)可显著降低四倍或更多的on电阻。900V的CoolMOS™C3还提供了一个非常低的性能数字- on-电阻乘以门电荷(RDS(on)*Qg)的34W*nC，转化为低传导，驱动和开关损耗。900V CoolMOS™C3非常适合于高效率开关电源、工业和可再生能源应用。



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C6/E6高压mosfet

英飞凌酷mos™C6/E6 mosfet是第六代根据革命性超结(SJ)原理设计的高压功率mosfet。酷mos™C6/E6系列结合了我们作为领先的SJ MOSFET供应商的经验和一流的创新。所得到的C6/E6设备提供了快速切换SJ MOSFET的所有优点，同时又不牺牲易用性。C6/E6实现极低的传导和开关损耗，使开关应用更高效、更紧凑、更轻、更凉爽。此外，它代表了当今市场上最好的性价比。C6设备已经优化为易于使用- E6设备已经优化为DCM应用的最高效率。



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C7场效电晶体

英飞凌600V酷mos™C7 mosfts与酷mos™CP相比，在关断损耗(EOSS)方面降低了约50%。它们在PFC、TTF和其他硬开关拓扑结构方面提供了与gan类似的性能水平，并将硅mosfts的应用扩展到下一代最高效率的电源设计。与之前的CoolMOS™CP相比，CoolMOS™C7在PFC阶段的效率提高了0.3%到0.7%。平均而言，采用TO-247 4针封装的CoolMOS™C7的效率提高了0.4%。



英飞凌650V CoolMOS™C7 mosfts为硬开关应用带来了一个新的性能水平，如功率因数校正(PFC)，当需要额外的50V击穿电压相比于600V CoolMOS™C7。通过平衡一些关键参数，它在整个负载范围内提供了效率优势。一流的RDS(on)可以提高满负荷效率，并通过为相同的RDS(on)使用更小的包实现功率密度的好处。EOSS的减少带来了效率效益，在轻负荷和低QG相关的更快的开关。非常低的EOSS和QG是使开关频率上升时没有效率损失的两个关键参数。这也使功率密度的好处，减少了电路磁元件的尺寸。