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IPW65R048CFDA正品原装供应

时间:2023-04-08 08:39发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司
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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS:  
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 63.3 A
Rds On-漏源导通电阻: 43 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3.5 V
Qg-栅极电荷: 270 nC
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名:
系列:
封装: Tube
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 4 ns
高度: 21.1 mm
长度: 16.13 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 10 ns
工厂包装数量: 240
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 85 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
宽度: 5.21 mm
零件号别名: IPW65R48CFDAXK SP000895318 IPW65R048CFDAFKSA1
单位重量: 6 g

Infineon Technologies IPW65R048CFDA 扩大的图像

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