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TOSHIBA/东芝 场效应晶体管 2SK4013

时间:2023-04-10 11:00发布企业:深圳市大源实业科技有限公司
联系人:李小姐电话:15302619915Q Q:
深圳市大源实业科技有限公司

     

  深圳市大源实业科技有限公司经营,集成电路。为航空航天,雷达船舶,工业控制,石油测井,铁路电力,实验,

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主营品牌:MICROCHIP, TI, XILINX,  LINEAR , HITTITE,  MINI,   MAXIM,  TST,  IDT,  MACOM , NXP,  ON,  INTERSIL,等。

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多年来我们一直本着务实的态度,以只做原装现货质量,而赢得市场同行的好评,

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公司宗旨:只做原装  诚实守信  长期合作!!!

  联系人:龙小姐 13392442132(微信同步)QQ:1714298183


极性N-CH
耗散功率45 W
漏源极电压(Vds)800 V
连续漏极电流(Ids)6A
上升时间25 ns
输入电容(Ciss)1400pF @25V(Vds)
下降时间65 ns
工作温度(Max)150 ℃
工作温度(Min)-55 ℃
耗散功率(Max)45000 mW
封装参数
安装方式Through Hole
引脚数3
封装TO-220
外形尺寸
封装TO-220
物理参数
材质Silicon
其他
包装方式Tube
符合标准
RoHS标准
海关信息
ECCN代码EAR99

详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid 2SK4013
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
生命周期 Active
Objectid 2080683988
零件包装代码 SC-67
包装说明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数 3
Reach Compliance Code unknown
ECCN代码 EAR99
风险等级 2.02
YTEOL 6.2
雪崩能效等级(Eas) 317 mJ
外壳连接 ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 6 A
最大漏极电流 (ID) 6 A
最大漏源导通电阻 1.7 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3
元件数量 1
端子数量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 45 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 18 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 NO
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON