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IPB200N25N3G供货情况
IPB200N25N3G购买请联系
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制造商:
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Infineon
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产品种类:
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MOSFET
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RoHS:
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技术:
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Si
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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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TO-263-3
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晶体管极性:
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N-Channel
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通道数量:
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1 Channel
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Vds-漏源极击穿电压:
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250 V
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Id-连续漏极电流:
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64 A
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Rds On-漏源导通电阻:
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17.5 mOhms
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Vgs - 栅极-源极电压:
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- 20 V, + 20 V
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Vgs th-栅源极阈值电压:
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2 V
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Qg-栅极电荷:
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86 nC
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最小工作温度:
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- 55 C
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最大工作温度:
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+ 175 C
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Pd-功率耗散:
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300 W
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通道模式:
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Enhancement
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商标名:
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系列:
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封装:
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Reel
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封装:
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Cut Tape
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封装:
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MouseReel
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商标:
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Infineon Technologies
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配置:
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Single
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下降时间:
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12 ns
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正向跨导 - 最小值:
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61 S
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高度:
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4.4 mm
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长度:
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10 mm
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产品类型:
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MOSFET
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上升时间:
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20 ns
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工厂包装数量:
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1000
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子类别:
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MOSFETs
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晶体管类型:
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1 N-Channel
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类型:
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OptiMOS 3 Power-Transistor
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典型关闭延迟时间:
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45 ns
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典型接通延迟时间:
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18 ns
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宽度:
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9.25 mm
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零件号别名:
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SP000677896 IPB2N25N3GXT IPB200N25N3GATMA1
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单位重量:
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4 g
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