原装正品供货商-BSS83P H6327-宝华芯城

制造商:

Infineon

产品种类:

MOSFET

RoHS:

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

SOT-23-3

晶体管极性:

P-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

60 V

Id-连续漏极电流:

330 mA

Rds On-漏源导通电阻:

1.4 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

2 V

Qg-栅极电荷:

2.38 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

360 mW

通道模式:

Enhancement

资格:

AEC-Q101

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

封装:

MouseReel

商标:

Infineon Technologies

配置:

Single

下降时间:

61 ns

正向跨导 - 最小值:

0.24 S

高度:

1.1 mm

长度:

2.9 mm

产品:

MOSFET Small Signal

产品类型:

MOSFET

上升时间:

71 ns

工厂包装数量:

3000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 P-Channel

典型关闭延迟时间:

56 ns

典型接通延迟时间:

23 ns

宽度:

1.3 mm

零件号别名:

SP000702486 BSS83PH6327XT BSS83PH6327XTSA1

单位重量:

8 mg