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制造商:
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STMicroelectronics
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产品种类:
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射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
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RoHS:
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晶体管极性:
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N-Channel
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技术:
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Si
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Id-连续漏极电流:
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5 A
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Vds-漏源极击穿电压:
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40 V
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Rds On-漏源导通电阻:
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-
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工作频率:
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1 GHz
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增益:
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14 dB
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输出功率:
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15 W
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最小工作温度:
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- 65 C
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最大工作温度:
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+ 150 C
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安装风格:
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SMD/SMT
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封装 / 箱体:
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PowerSO-10RF-Formed-4
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封装:
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Reel
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封装:
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Cut Tape
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封装:
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MouseReel
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商标:
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STMicroelectronics
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通道模式:
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Enhancement
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配置:
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Single
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高度:
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3.5 mm
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长度:
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7.5 mm
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湿度敏感性:
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Yes
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Pd-功率耗散:
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73 W
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产品类型:
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RF MOSFET Transistors
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系列:
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工厂包装数量:
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600
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子类别:
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MOSFETs
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晶体管类型:
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LDMOS FET
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类型:
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RF Power MOSFET
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Vgs - 栅极-源极电压:
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20 V
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宽度:
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9.4 mm
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单位重量:
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3 g
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