STM品牌MOSFET N-Ch STD5NM60T4

产品属性

属性值

制造商:

STMicroelectronics

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

TO-252-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

600 V

Id-连续漏极电流:

5 A

Rds On-漏源导通电阻:

1 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3 V

Qg-栅极电荷:

18 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

96 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

MDmesh

系列:

STD5NM60

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

商标:

STMicroelectronics

配置:

Single

下降时间:

10 ns

正向跨导 - 最小值:

2.4 S

高度:

2.4 mm

长度:

6.6 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

10 ns

工厂包装数量:

2500

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

类型:

MOSFET

典型关闭延迟时间:

23 ns

典型接通延迟时间:

14 ns

宽度:

6.2 mm

单位重量:

330 mg