FDMT80080DC  安森美MOSFET

产品属性

属性值

制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

RoHS:

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

Dual Cool 88

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

80 V

Id-连续漏极电流:

36 A

Rds On-漏源导通电阻:

1.06 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3.1 V

Qg-栅极电荷:

195 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

156 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

PowerTrench

系列:

FDMT80080DC

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

商标:

onsemi / Fairchild

配置:

Dual

下降时间:

30 ns

正向跨导 - 最小值:

116 S

高度:

0.8 mm

长度:

3.3 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

65 ns

工厂包装数量:

3000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

N-Channel

典型关闭延迟时间:

75 ns

典型接通延迟时间:

67 ns

宽度:

3.3 mm

单位重量:

248.520 mg