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FDMS86300 安森美 MOSFET

时间:2023-05-06 17:17发布企业:奋钧智能(深圳)科技有限公司
联系人:王小姐电话:15773539469Q Q:

产品属性

属性值

制造商:

onsemi

产品种类:

MOSFET

RoHS:

 

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

Power-56-8

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

80 V

Id-连续漏极电流:

42 A

Rds On-漏源导通电阻:

5.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

3.4 V

Qg-栅极电荷:

59 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

104 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

系列:

封装:

Reel

封装:

Cut Tape

商标:

onsemi / Fairchild

配置:

Single

下降时间:

9 ns

正向跨导 - 最小值:

60 S

高度:

1.1 mm

长度:

6 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

26 ns

工厂包装数量:

3000

子类别:

MOSFETs

晶体管类型:

1 N-Channel

典型关闭延迟时间:

36 ns

典型接通延迟时间:

31 ns

宽度:

5 mm