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制造商:
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Infineon
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产品种类:
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IGBT 模块
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RoHS:
|
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产品:
|
IGBT Silicon Modules
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配置:
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3-Phase Inverter
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集电极—发射极最大电压 VCEO:
|
1.2 kV
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集电极—射极饱和电压:
|
1.75 V
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在25 C的连续集电极电流:
|
100 A
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栅极—射极漏泄电流:
|
100 nA
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Pd-功率耗散:
|
515 W
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封装 / 箱体:
|
Econo 3
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最小工作温度:
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- 40 C
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最大工作温度:
|
+ 150 C
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封装:
|
Tray
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商标:
|
Infineon Technologies
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高度:
|
17 mm
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长度:
|
122 mm
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栅极/发射极最大电压:
|
20 V
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安装风格:
|
Chassis Mount
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产品类型:
|
IGBT Modules
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系列:
|
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工厂包装数量:
|
10
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子类别:
|
IGBTs
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技术:
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Si
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商标名:
|
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宽度:
|
62 mm
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零件号别名:
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SP000355578 FP100R12KT4BOSA1
|
单位重量:
|
300 g
|

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