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制造商:
|
Infineon
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产品种类:
|
MOSFET
|
RoHS:
|
|
技术:
|
Si
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安装风格:
|
SMD/SMT
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封装 / 箱体:
|
SOT-23-3
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晶体管极性:
|
N-Channel
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通道数量:
|
1 Channel
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Vds-漏源极击穿电压:
|
55 V
|
Id-连续漏极电流:
|
540 mA
|
Rds On-漏源导通电阻:
|
346 mOhms
|
Vgs - 栅极-源极电压:
|
- 20 V, + 20 V
|
Vgs th-栅源极阈值电压:
|
1.2 V
|
Qg-栅极电荷:
|
1.7 nC
|
最小工作温度:
|
- 55 C
|
最大工作温度:
|
+ 150 C
|
Pd-功率耗散:
|
360 mW
|
通道模式:
|
Enhancement
|
资格:
|
AEC-Q101
|
系列:
|
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封装:
|
Reel
|
封装:
|
Cut Tape
|
封装:
|
MouseReel
|
商标:
|
Infineon Technologies
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配置:
|
Single
|
下降时间:
|
24 ns
|
正向跨导 - 最小值:
|
600 mS
|
高度:
|
1.1 mm
|
长度:
|
2.9 mm
|
产品类型:
|
MOSFET
|
上升时间:
|
25 ns
|
工厂包装数量:
|
3000
|
子类别:
|
MOSFETs
|
晶体管类型:
|
1 N-Channel
|
典型关闭延迟时间:
|
21 ns
|
典型接通延迟时间:
|
9 ns
|
宽度:
|
1.3 mm
|
零件号别名:
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SP000928950 BSS67S2LH6327XT BSS670S2LH6327XTSA1
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单位重量:
|
8 mg
|

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