FGHL50T65SQDT ON安森美IGBT晶体管

产品属性

属性值

制造商:

onsemi

产品种类:

IGBT 晶体管

RoHS:

 详细信息

技术:

Si

封装 / 箱体:

TO-247-3

安装风格:

Through Hole

配置:

Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:

650 V

集电极—射极饱和电压:

1.47 V

栅极/发射极最大电压:

- 20 V, 20 V

在25 C的连续集电极电流:

100 A

Pd-功率耗散:

268 W

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 175 C

封装:

Tube

商标:

onsemi

产品类型:

IGBT Transistors

工厂包装数量:

30

子类别:

IGBTs