制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: HiP-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 36 A
Rds On-漏源导通电阻: 100 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 4.9 V
Qg-栅极电荷: 61 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 200 C
Pd-功率耗散: 278 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
封装: Tube
商标: STMicroelectronics
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 600
子类别: MOSFETs
单位重量: 4.500 g
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