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PD54008TR-E 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 原装型号 欢迎咨询 更多型号

时间:2023-06-12 10:39发布企业:深圳市诺普迅电子科技有限公司
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STMicroelectronics PD54008TR-E 扩大的图像

制造商: STMicroelectronics  
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管  
RoHS:  详细信息  
晶体管极性: N-Channel  
技术: Si  
Id-连续漏极电流: 5 A  
Vds-漏源极击穿电压: 25 V  
工作频率: 1 GHz  
增益: 11.5 dB  
输出功率: 8 W  
最小工作温度: - 65 C  
最大工作温度: + 150 C  
安装风格: SMD/SMT  
封装 / 箱体: PowerSO-10RF-Formed-4  
封装: Reel  
封装: Cut Tape  
封装: MouseReel  
商标: STMicroelectronics  
通道模式: Enhancement  
配置: Single  
高度: 3.5 mm  
长度: 7.5 mm  
湿度敏感性: Yes  
Pd-功率耗散: 73 W  
产品类型: RF MOSFET Transistors  
系列: PD54008-E  
工厂包装数量: 600  
子类别: MOSFETs  
晶体管类型: LDMOS FET  
类型: RF Power MOSFET  
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V  
宽度: 9.4 mm  
单位重量: 3 g 

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