制造商: NXP
产品种类: 射频(RF)双极晶体管
RoHS: 详细信息
晶体管类型: Bipolar Wideband
技术: Si
晶体管极性: NPN
工作频率: 900 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min: 60
集电极—发射极最大电压 VCEO: 16 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 2 V
集电极连续电流: 5 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
配置: Single
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT143B-4
封装: Reel
封装: Cut Tape
商标: NXP Semiconductors
集电极—基极电压 VCBO: 24 V
直流电流增益 hFE 最大值: 200
增益带宽产品fT: 10.5 GHz
最大直流电集电极电流: 50 mA
工作温度范围: - 40 C to + 150 C
Pd-功率耗散: 450 mW
产品类型: RF Bipolar Transistors
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
类型: Wideband RF Transistor
零件号别名: 934067702215
单位重量: 9 mg
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