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FDS2672 MOS场效应管--大源实业科技

时间:2023-06-16 11:39发布企业:深圳市大源实业科技有限公司
联系人:李小姐电话:15302619915Q Q:
深圳市大源实业科技有限公司

经营,集成电路。为航空航天,雷达船舶,工业控制,石油测井,铁路电力,实验,

医疗器械,通信工程,仪器仪表,科研,等高科技行业提供配套服务。

主营品牌:MICROCHIP, TI, XILINX,  LINEAR , HITTITE,  MINI,   MAXIM,  TST,  IDT,  MACOM , NXP,  ON,  INTERSIL,等。

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公司宗旨:只做原装  诚实守信  长期合作!!!
联系人:龙小姐
电话:13392442132(微信同步)
座机:0755-84507670
QQ:1714298183

品牌
ON安森美
封装
SOP8
批号
20+
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
70 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
FDS2672
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.9 mm
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
10 ns
上升时间
10 ns
典型关闭延迟时间
35 ns
典型接通延迟时间
22 ns
单位重量
130 mg
可售卖地
全国
型号
FDS2672
详细参数
参数名称 参数值
Source Content uid FDS2672
Brand Name onsemi
是否无铅 不含铅 不含铅
生命周期 Active
Objectid 4001117724
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
制造商包装代码 751EB
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代码 EAR99
Factory Lead Time 56 weeks
风险等级 1.14
Samacsys Description FDS2672, N-channel MOSFET Transistor 3.9 A 200 V, 8-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2023-03-07 16:10:32
YTEOL 6.12
雪崩能效等级(Eas) 37.5 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 3.9 A
最大漏极电流 (ID) 3.9 A
最大漏源导通电阻 0.148 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3
湿度敏感等级 1
元件数量 1
端子数量 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 50 A
认证状态 Not Qualified
子类别 FET General Purpose Power
表面贴装 YES
端子面层 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30
晶体管元件材料 SILICON
 
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