STMicroelectronics功率双极晶体管和IGBT是标准功率双极晶体管的大型产品组合。这些晶体管采用平面基岛扩散集电极和双金属工艺技术,具有高电流增益特性。
其中包括NPN和PNP达林顿晶体管以及双极结型晶体管 (BJT),具有高hFE和低VCE(sat) 以及VCES,电压和电流范围分别为15V至1500V与1.5A至25A。该器件采用小尺寸、薄型的无引线SMD塑料封装,散热性能极佳。因此非常适合用于通用、工业和电机控制应用。
还可提供一系列采用平面(穿通)技术制造的标准IGBT。这些IGBT具有负VCE(sat) 系数,并可在温度不断升高的情况下实现智能静态和动态平衡。这些产品设计用于通用电机控制应用,提供各种封装和多种合装二极管选项。