IXFA7N100P-----IXYS供应原装正品

制造商:

IXYS

产品种类:

MOSFET

RoHS:

技术:

Si

安装风格:

SMD/SMT

封装 / 箱体:

TO-263-3

晶体管极性:

N-Channel

通道数量:

1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:

1 kV

Id-连续漏极电流:

7 A

Rds On-漏源导通电阻:

1.9 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压:

- 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压:

6 V

Qg-栅极电荷:

47 nC

最小工作温度:

- 55 C

最大工作温度:

+ 150 C

Pd-功率耗散:

300 W

通道模式:

Enhancement

商标名:

系列:

封装:

Tube

商标:

IXYS

下降时间:

44 ns

正向跨导 - 最小值:

3.6 S

高度:

4.83 mm

长度:

9.65 mm

产品类型:

MOSFET

上升时间:

49 ns

工厂包装数量:

50

子类别:

MOSFETs

类型:

Polar HiPerFET Power MOSFET

典型关闭延迟时间:

42 ns

典型接通延迟时间:

25 ns

宽度:

10.41 mm

单位重量:

1.600 g